等離子蝕刻設(shè)備射頻電源工作原理：當(dāng)chamber內(nèi)部之壓力低到某一程度(約10-1 torr左右)時(shí), 氣態(tài)正離子開始往負(fù)電極移動(dòng), 由于受電場(chǎng)作用會(huì)加速撞擊負(fù)電極板, 產(chǎn)生電極板表面原子, 雜質(zhì)分子和離子以及二次電子(e-)…等, 此e-又會(huì)受電場(chǎng)作用往正電極方向移動(dòng), 于移動(dòng)過(guò)程會(huì)撞擊chamber內(nèi)之氣體分子(ex. : Ar原子…等), 產(chǎn)生Ar+等氣態(tài)正離子, 此Ar+再受電場(chǎng)的作用去撞擊負(fù)電極板, 又再產(chǎn)生表面原子以及二次電子(e-)…等, 如此周而復(fù)始之作用即為Plasma產(chǎn)生之原理